Caracterización y modelado de dispositivos semiconductores para aplicaciones nolineales de alta frecuencia

Abstract

Tras la introducción a algunas de las técnicas de modelado nolineal más utilizadas en el contexto de la radiofrecuencia actual para la caracterización de dispositivos activos, en esta Tesis Doctoral se presenta una estrategia analítica para la construcción de un circuito equivalente para un diodo en condiciones de gran señal y alta frecuencia. En concreto, se ha detallado cómo este modelo nolineal del diodo puede ser obtenido a partir de las formas de onda de tensión y corriente en terminales como respuesta a una medida de onda continua. Esta técnica de extracción, cuya formulación relaciona los coeficientes espectrales de las funciones de estado del nuevo circuito presentado, no solo se limita al plano intrínseco, sino que incluye una metodología basada en parámetros S para la estimación de una red extrínseca específica, clave en el modelado para alta frecuencia de los efectos no deseados asociados al encapsulado. La solución propuesta ha demostrado cómo el circuito equivalente cuasiestático puede ser extendido a una versión nocuasiestática a partir de una definición de carga eléctrica nocuasiestática de primer orden, con el propósito de caracterizar las constantes de tiempo que aparecen en los dispositivos semiconductores cuando varían instantáneamente las tensiones de control.