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    N coordination chemistry in diluted InGaAs nitride layers

    • Autor
      Gabás-Pérez, MercedesAutoridad Universidad de Málaga; López-Escalante, María CruzAutoridad Universidad de Málaga; Ramos-Barrado, José RamónAutoridad Universidad de Málaga; Ściana, Beata; Dawidowski, Wojciech; Radziewicz, Damian; Dłużewski, Piotr
    • Fecha
      2015-10-14
    • Palabras clave
      Semiconductores
    • Resumen
      GaAsN and InGaAsN semiconductor alloys with a small amount of nitrogen, so called dilute nitrides, constitute a novel compounds family with applications in telecom lasers and very efficient multijunction solar cells. The incorporation of N, which has a much larger electronegativity and smaller atomic size compared to As, induces a strong structural distortion in the InGaAs coordination chemistry, which will also affect the material electronic structure and band-gap. In particular, the nearest-neighbour bonding configuration of the N in InGaAsN has proven its influence on the band-gap. Our ARXPS results demonstrate that a higher growth temperature favour the formation of In-N bonds.
    • URI
      http://hdl.handle.net/10630/10513
    • Compartir
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    Presentación Gabás ECASIA2015 N coordination chemistry.pdf (2.342Mb)
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    REPOSITORIO INSTITUCIONAL UNIVERSIDAD DE MÁLAGA
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